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半導(dǎo)體氧化制程的一些要點(diǎn)

更新時(shí)間:2020-08-12   點(diǎn)擊次數(shù):1982次

1)氧化層的成長(zhǎng)速率不是一直維持恒定的趨勢(shì),制程時(shí)間與成長(zhǎng)厚度之重復(fù)性是較為重要之考量。

2)后長(zhǎng)的氧化層會(huì)穿透先前長(zhǎng)的氧化層而堆積于上;換言之,氧化所需之氧或水汽,勢(shì)必也要穿透先前成長(zhǎng)的氧化層到硅質(zhì)層。故要生長(zhǎng)更厚的氧化層,遇到的阻礙也越大。

3)干氧層主要用于制作金氧半(MOS)晶體管的載子信道(channel);而濕氧層則用于其它較不嚴(yán)格講究的電性阻絕或制程罩幕(masking)。前者厚度遠(yuǎn)小于后者,1000~1500埃已然足夠。

4)對(duì)不同晶面走向的晶圓而言,氧化速率有異:通常在相同成長(zhǎng)溫度、條件、及時(shí)間下,厚度≧厚度>厚度。

5)導(dǎo)電性佳的硅晶氧化速率較快。

6)適度加入氯化氫(HCl)氧化層質(zhì)地較佳;但因容易腐蝕管路,已漸少用。

7)氧化層厚度的量測(cè),可分破壞性與非破壞性兩類。前者是在光阻定義阻絕下,泡入緩沖過的BOE,BufferedOxideEtch,系HFNH4F16的比例混合而成的腐蝕劑)將顯露出來的氧化層去除,露出不沾水的硅晶表面,然后去掉光阻,利用表面深淺量測(cè)儀(surfaceprofileroralphastep),得到有無氧化層之高度差,即其厚度。

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